Documents similaires: Charakterizácia a analýza vybraných GaN polovodičových prvkov podporená simuláciou a modelovaním /
- Návrh a charakterizácia progresívnych výkonových elektronických prvkov podporená modelovaním a simuláciou : dát. obhaj. 19.12.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Analýza vybraných elektrických vlastností a energetickej odolnosti moderných výkonových prvkov podporená modelovaním a simuláciou
- Návrh a analýza moderných výkonových elektronických prvkov podporená modelovaním a simuláciou : dát. obhaj. 27.8.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
Auteur: Chvála, Aleš, 1981-
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností ESD ochranných prvkov : Čís. ved. odb. 5.2.13, Dát. obhaj. 08.06.2009
- Charakterizácia a analýza vybraných GaN polovodičových prvkov podporená simuláciou a modelovaním /
- Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia ESD ochranného prvku
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora