Documenti analoghi: Analýza vlastností polovodičových štruktúr kapacitnými metódami :
- Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
- Štúdium vlastností dusíkom dotovaného Si substrátu kapacitnými meracími metódami
- Charakterizácia polovodičových štruktúr : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 03.09.2003
- Diagnostika tvarovaných polovodičových štruktúr optickými metódami
- Charakterizácia vlastností moderných polovodičových štruktúr a prvkov optickými metódami
- Charakterizácia vlastností moderných polovodičových štruktúr a prvkov optickými metódami
Autore: Gurnik, Peter
- Charakterizácia polovodičových štruktúr : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 03.09.2003
- Výskum delta-dotovaných štruktúr na báze GaAs
- Výskum heterogénnych štruktúr na báze GaAs
- Výskum delta-dotovaných štruktúr na báze GaAs
- Programové vybavenie pre analýzu polovodičových štruktúr
- Vývoj zariadenia pre automatizované meranie analógových integrovaných obvodov
Autore: Harmatha, Ladislav, 1948-
- Vplyv mikroštruktúry kapacitora na báze TiO2 dielektrika s vysokou dielektrickou konštantou na jeho elektrické vlastnosti
- Príprava a charakterizácia tenkovrstvových štruktúr na báze a-Si:H/c-Si pre využitie v solárnych článkoch
- Štúdium a charakterizácia vybraných vlastností solárnych článkov s heteropriechodom
- Diagnostika kremíkových heteroštruktúr pre moderné fotovoltické aplikácie : dát. obhaj. 25.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Meranie a simulácia kremíkových heteroštruktúr pre pokročilé solárne aplikácie : dát. obhaj. 15.3.2012, č. ved. odb. 5-2-13
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13