Documenti analoghi: Návrh, príprava a charakterizácia (AJGa)As - MQW/GaAs štruktúr RCE PIN fotodiód :
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Skúmanie vybraných vlastností Schottkyho štruktúr na GaAs : Dipl.práca /
- Odporové profily polovodičových štruktúr na báze GaAs : Dipl.práca /
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP
- Výskum heterogénnych štruktúr na báze GaAs
Autore: Gažovič, Milan
Autore: Uherek, František, 1954-
- Optický kódový multiplex : V.odb. 26-13-9, Obh. 19.5.2003
- Vyšetrovanie vlastností prvkov integrovanej fotoniky
- Fotonické prvky pre optické komunikačné systémy : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Využitie laserov v automobilovom priemysle
- Návrh prvkov integrovanej fotoniky
- Displeje v automobiloch