Documenti analoghi: Physical chemistry of in and on silicon /
- Applied physics of condensed matter 2005 : Proceedings
- APCOM 2000. Applied physics of condensed matter 2000 : Proceedings of the 6th international workshop. Kočovce, Slovak Republic. 19.- 21. June 2000
- Úvod do teórie polovodičů
- Elektrofyzikálne parametre kremíka po pôsobení neutrónov : Habil.práca : Obh. 12.04.1994 /
- Elektrony i dyrki v poluprovodnikach : Energetičeskij spektr i dinamika
- Silicon carbide : Properties
Soggetto: fyzika tuhých látok
Soggetto: fyzika polovodičov
- Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /