Documents similaires: Izolačné vlastnosti a prieraz hradlového oxidu štruktúry MOS :
- Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
- Vplyv podmienok merania na hodnoty prierazného napätia izolačných olejov
- Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
- Výskum vlastností materiálov pre pokročilé MOS štruktúry : č.ved.odb. 26-35-9, dát.obhaj. 18.12.2008
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Defects in High-k Gate Dielectric Stacks : Nano-Electronic Semiconductor Devices
Sujet: elektronika
- Součástky pro elektroniku
- Organické materiály pre elektroniku, optoelektroniku a senzoriku aplikácia moderných spektroelektrochemických techník a metód počítačovej chémie
- Optický kódový multiplex : V.odb. 26-13-9, Obh. 19.5.2003
- Komunikačný systém pre optický prenos dát vo voľnom priestore : Dipl.práca
- Česko-ruský elektrotechnický a elektronický slovník
- Mechatronics : A Foundation Course
Sujet: izolačné vlastnosti
Auteur: Valent, Peter, 1979-
Auteur: Harmatha, Ladislav, 1948-
- Vplyv mikroštruktúry kapacitora na báze TiO2 dielektrika s vysokou dielektrickou konštantou na jeho elektrické vlastnosti
- Príprava a charakterizácia tenkovrstvových štruktúr na báze a-Si:H/c-Si pre využitie v solárnych článkoch
- Štúdium a charakterizácia vybraných vlastností solárnych článkov s heteropriechodom
- Diagnostika kremíkových heteroštruktúr pre moderné fotovoltické aplikácie : dát. obhaj. 25.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Meranie a simulácia kremíkových heteroštruktúr pre pokročilé solárne aplikácie : dát. obhaj. 15.3.2012, č. ved. odb. 5-2-13
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13