Similar Items: Application of spreading resistence profiling for monitoring of semiconductor technological processes = Využitie metódy rozptylového odporu na monitorovanie technologických procesov polovodičovej výroby :
- Príručka polovodičovej techniky
- Electrical resistivity handbook /
- Určenie hodnoty teplotného koeficientu elektrického odporu medi = Determination of value of resistance temperature coeficientof Copper : Bakalárska práca
- Wide Bandgap Semiconductors /
- Semiconductor modeling : For Simulating Signal, Power, and Electromagnatic Integrity
- Compound Semiconductor Bulk Materials and Characterizations
Topic: elektronika
- Součástky pro elektroniku
- Organické materiály pre elektroniku, optoelektroniku a senzoriku aplikácia moderných spektroelektrochemických techník a metód počítačovej chémie
- Optický kódový multiplex : V.odb. 26-13-9, Obh. 19.5.2003
- Komunikačný systém pre optický prenos dát vo voľnom priestore : Dipl.práca
- Česko-ruský elektrotechnický a elektronický slovník
- Mechatronics : A Foundation Course
Topic: rozptylový odpor
Author: Kuruc, Marián
- Application of spreading resistence profiling for monitoring of semiconductor technological processes = Využitie metódy rozptylového odporu na monitorovanie technologických procesov polovodičovej výroby : Dát. obhaj. 25.02.2010, č. ved. odb. 26-13-9
- Knižnica gest a jej využitie v hre
- Meranie a vyhodnocovanie koncentračného profilu N(x) polovodičových vrstiev metódou PCIV
- Využitie ozónu na transformáciu biologicky rezistentných organických látok
Author: Hulényi, Ladislav, 1938-
- Application of spreading resistence profiling for monitoring of semiconductor technological processes = Využitie metódy rozptylového odporu na monitorovanie technologických procesov polovodičovej výroby : Dát. obhaj. 25.02.2010, č. ved. odb. 26-13-9
- Elektronické prvky a systémy
- Elektronické prvky a systémy
- Skúmanie rekombinačno-generačných procesov na rozhraní Si-SiO2 pomocou diód riadených hradlom : Habil.práca : Obh. 26.09.1978 /
- Skúmanie vlastností MIS tanzistorov pomocou nábojového čerpacieho javu
- Príprava SiO2 vrstiev v mikrovlnnom kyslíkovom výboji a ich vlastnosti : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.01.1976 /