Ejemplares similares: Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
- Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
Tópico: MOS
- Zabezpečenie kvality hlasových služieb v sieťach IP
- Zabezpečenie QoS VoIP komunikácie vo WiFi sieťach.
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- QoS v sieťach VoIP
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
Tópico: Mikroelektronika
- Vyšetrovanie vlastností prvkov integrovanej fotoniky
- Plošné spoje pro mikroelektroniku /
- Fyzikálno-metalurgické aspekty bezolovnatých spájok v mikroelektronike
- Návrh a analýza moderných výkonových elektronických prvkov podporená modelovaním a simuláciou : dát. obhaj. 27.8.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Vlastnosti elektroluminiscenčných diód pre spintronické aplikácie : dát. obhaj. 7.11.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Syntéza uhlíkových nanorúrok a ich využitie pre senzorické aplikácie : dát. obhaj. 21.3.2014, č. ved. odb. 5-2-13
Autor: Jurkovič, Michal, 1986-
Autor: Harmatha, Ladislav, 1948-
- Vplyv mikroštruktúry kapacitora na báze TiO2 dielektrika s vysokou dielektrickou konštantou na jeho elektrické vlastnosti
- Príprava a charakterizácia tenkovrstvových štruktúr na báze a-Si:H/c-Si pre využitie v solárnych článkoch
- Štúdium a charakterizácia vybraných vlastností solárnych článkov s heteropriechodom
- Diagnostika kremíkových heteroštruktúr pre moderné fotovoltické aplikácie : dát. obhaj. 25.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Meranie a simulácia kremíkových heteroštruktúr pre pokročilé solárne aplikácie : dát. obhaj. 15.3.2012, č. ved. odb. 5-2-13
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13