Ejemplares similares: Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúr MOS s implantovaným substrátom :
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Tvorba návrhových pravidiel IO CMOS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 30.11.1994 /
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Combinatorial algorithms for integrated circuit layout /
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
Tópico: parametre štruktúry MOS
Tópico: kremíková doska
Autor: Botka, Vladimír
- Elektrofyzikálne vlastnosti mikroelektrických štruktúr : Záverečná správa. Štátna výskumná úloha III-7-2/04
- Elektrofyzikálne vlastnosti mikroelektrických štruktúr : Priebežná správa. Štátna výskumná úloha III-7-2/04
- Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúr MOS s implantovaným substrátom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 14.04.1992 /
Autor: Csabay, Otto, 1937-
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
- Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
- Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /
- Sledovanie hustoty poruchového náboja v povrchových stavoch oxidovaného kremíka, meraním vysokofrekvenčnej C-V krivky MOS štruktúry : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 17.12.1971 /