Ähnliche Einträge: Modelovanie tranzistora typu MESFET a návrh hradla NOR SDFL :
- NF zesilovače. 3. díl : Tranzistorové výkonové zesilovače
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Konštrukcie plochých striech
Thema: Mikroelektronika
- Vyšetrovanie vlastností prvkov integrovanej fotoniky
- Plošné spoje pro mikroelektroniku /
- Fyzikálno-metalurgické aspekty bezolovnatých spájok v mikroelektronike
- Návrh a analýza moderných výkonových elektronických prvkov podporená modelovaním a simuláciou : dát. obhaj. 27.8.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Vlastnosti elektroluminiscenčných diód pre spintronické aplikácie : dát. obhaj. 7.11.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Syntéza uhlíkových nanorúrok a ich využitie pre senzorické aplikácie : dát. obhaj. 21.3.2014, č. ved. odb. 5-2-13
Thema: modelovanie tranzistorov
Verfasser: Janota, Roman
- Elektrofyzikálne vlastnosti mikroelektrických štruktúr : Záverečná správa. Štátna výskumná úloha III-7-2/04
- Elektrofyzikálne vlastnosti mikroelektrických štruktúr : Priebežná správa. Štátna výskumná úloha III-7-2/04
- Modelovanie tranzistora typu MESFET a návrh hradla NOR SDFL : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.12.1989 : Projekt III-6-/13III-7-2/04 /
Verfasser: Hulényi, Ladislav, 1938-
- Application of spreading resistence profiling for monitoring of semiconductor technological processes = Využitie metódy rozptylového odporu na monitorovanie technologických procesov polovodičovej výroby : Dát. obhaj. 25.02.2010, č. ved. odb. 26-13-9
- Elektronické prvky a systémy
- Elektronické prvky a systémy
- Skúmanie rekombinačno-generačných procesov na rozhraní Si-SiO2 pomocou diód riadených hradlom : Habil.práca : Obh. 26.09.1978 /
- Skúmanie vlastností MIS tanzistorov pomocou nábojového čerpacieho javu
- Príprava SiO2 vrstiev v mikrovlnnom kyslíkovom výboji a ich vlastnosti : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.01.1976 /