Ähnliche Einträge: Teplotne simulované iónové prúdy v izolačných vrstvách štruktúr MIS :
- Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /
- Niektoré technologické a fyzikálne problémy štruktúr MIS : Dokt.diz.práca : Projekt III-3-3/1,III-4-3/2,III-6-1/13,III-7-2/04,III-2-3/17,III-3-3/1 /
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
- Polovodičové součástky typu MIS /
- Semiconductors : Group IV elements and III-V compounds /
Thema: elektronika
- Součástky pro elektroniku
- Organické materiály pre elektroniku, optoelektroniku a senzoriku aplikácia moderných spektroelektrochemických techník a metód počítačovej chémie
- Optický kódový multiplex : V.odb. 26-13-9, Obh. 19.5.2003
- Komunikačný systém pre optický prenos dát vo voľnom priestore : Dipl.práca
- Česko-ruský elektrotechnický a elektronický slovník
- Mechatronics : A Foundation Course
Thema: izolačné vrstvy
Verfasser: Nágel, Viliam, Ing
Verfasser: Csabay, Otto, 1937-
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
- Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
- Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /
- Sledovanie hustoty poruchového náboja v povrchových stavoch oxidovaného kremíka, meraním vysokofrekvenčnej C-V krivky MOS štruktúry : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 17.12.1971 /