-
Properties of Aluminium Galium Arsenide /
-
Properties of gallium arsenide
-
Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
-
Properties of lattice - matched and strained Indium Galium Arsenide /
-
Physical properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and INGaAsP /
-
Properties of III - V quantum wells and superlattices
-
Optimalizácia vybraných vlastností rozhrania izolant - arzenid gália : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 15.02.1996 /
-
Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
-
Príspevok k štúdiu GaAs a jeho homológov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.12.1995 /
-
Semiconductor technologies
-
APCOM 2000. Applied physics of condensed matter 2000 : Proceedings of the 6th international workshop. Kočovce, Slovak Republic. 19.- 21. June 2000
-
Applied physics of condensed matter 2005 : Proceedings
-
Elektrony i dyrki v poluprovodnikach : Energetičeskij spektr i dinamika
-
Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
-
Properties of Group-IV, III-V and II - VI semiconductors
-
Metal silicides : Properties
-
Modelovanie robustného senzora tlaku na báze progresívnych polovodičových materiálov
-
Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
-
Characterization of electrical properties of Schottky structures supported by modelling and simulation = Charakteristika elektro fyzikálnych vlastností Schottkyho štruktúr podporená modelovaním a simuláciou : Dok.diz.práca. Dát. obhaj. 15.12.1998, Č.ved.odb.: 26-11-9
-
Electronic properties of engineering materials
-
Polovodičové detektory ionizujúceho žiarenia
-
Properties of indium phosphide
-
Beam interactions with materials and atoms : Section B of: Nuclear instruments & methods in physics research. Vol.120 : Konf. E-MRS'96, Strasbourg, France, 4.- 7. June 1996 /
-
Silico germanium : Properties of strained and relaxed