Channels Characterization of electrical properties of Schottky structures supported by modelling and simulation = Charakteristika elektro fyzikálnych vlastností Schottkyho štruktúr podporená modelovaním a simuláciou :
Integrálna transportná teória prenosu prúdu v štruktúrach kov-polovodič-kov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 12.01.1995 /
Niektoré technologické a fyzikálne problémy štruktúr MIS : Dokt.diz.práca : Projekt III-3-3/1,III-4-3/2,III-6-1/13,III-7-2/04,III-2-3/17,III-3-3/1 /
Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /
The physics of low-dimensional semiconductors an introdution
Elektrony i dyrki v poluprovodnikach : Energetičeskij spektr i dinamika
APCOM 2000. Applied physics of condensed matter 2000 : Proceedings of the 6th international workshop. Kočovce, Slovak Republic. 19.- 21. June 2000
Applied physics of condensed matter 2005 : Proceedings
Diagnostika kvality polovodičových štruktúr a prvkov
Quantom heterostructures : Microelectronics and optoelectronics
Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /
Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
Simulácia, meranie a vyhodnocovanie koncentračných profilov prímesí v polovodičových štruktúrach : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
Analýza kinetiky procesov v polovodičových štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín : Kand.diz.práca : Obh. 24.09.1996 /
Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
Properties of III - V quantum wells and superlattices
Metal silicides : Properties
Teplotne simulované iónové prúdy v izolačných vrstvách štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 12.03.1986 : Projekt III-6-1/13 /
Properties of lattice - matched and strained Indium Galium Arsenide /
Properties of Aluminium Galium Arsenide /
Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Properties of gallium arsenide
Beam interactions with materials and atoms : Section B of: Nuclear instruments & methods in physics research. Vol.120 : Konf. E-MRS'96, Strasbourg, France, 4.- 7. June 1996 /