Kanäle - Semiconductor surfaces and interfaces / :: Spolocny katalog EUBA/STU

Ähnliche Einträge: Semiconductor surfaces and interfaces /

Thema: fyzika polovodičov

Vorschau
Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
Vorschau
Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
Vorschau
Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Vorschau
Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
Vorschau
Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
Vorschau
Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /
Vorschau
Characterization of electrical properties of Schottky structures supported by modelling and simulation = Charakteristika elektro fyzikálnych vlastností Schottkyho štruktúr podporená modelovaním a simuláciou : Dok.diz.práca. Dát. obhaj. 15.12.1998, Č.ved.odb.: 26-11-9
Vorschau
Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
Vorschau
Vyšetrovanie polovodičových heteroštruktúr metódou EBIC a integrálnou katódoluminiscenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-09 : Obh. 14.12.1995 /
Vorschau
Simulácia, meranie a vyhodnocovanie koncentračných profilov prímesí v polovodičových štruktúrach : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
Vorschau
Elektrické a optické vlastnosti nekryštalických polovodičov pri normálnom a vysokom tlaku a ďalší súbor prác : Obh. 2.12.2002
Vorschau
Nitridové vrstvy pre Schottkyho kontakty na GaAs : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 20.10.1994 /
Vorschau
Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
Vorschau
Analýza kinetiky procesov v polovodičových štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín : Kand.diz.práca : Obh. 24.09.1996 /
Vorschau
Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
Vorschau
Integrálna transportná teória prenosu prúdu v štruktúrach kov-polovodič-kov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 12.01.1995 /
Vorschau
Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
Vorschau
Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /
Vorschau
Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
Vorschau
Niektoré technologické a fyzikálne problémy štruktúr MIS : Dokt.diz.práca : Projekt III-3-3/1,III-4-3/2,III-6-1/13,III-7-2/04,III-2-3/17,III-3-3/1 /
Vorschau
Fyzika : Fyzikálne základy elektroniky
Vorschau
Semiconductor device modelling /
Vorschau
Diagnostika kvality polovodičových štruktúr a prvkov
Vorschau
Introduction to semiconductor materials and devices /

Thema: fyzika povrchov

Verfasser: Mönch, Winfried

Vorschau
Semiconductor surfaces and interfaces /