Documents similaires: Niektoré problémy účinnosti mikrovlnných elektronických prvkov :
- Optimalizácia stanovenia tolerancií súčiastok elektronických obvodov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 20.04.1974 /
- Niektoré problémy prípravy InP epitaxiálnych vrstiev z kvapalnej fázy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 04.07.1979 /
- Polovodičové štruktúry elektricky programovateľných pevných pamätí s "plávajúcou" elektródou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 08.03.1979 /
- Problémy prípravy elektroluminiscenčných vrstiev ZnS, ich niektoré vlastnosti a aplikácie : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.03.1974 /
- Tunelové (Esakiho) diódy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.06.1966 /
- Aparatúra na vyšetrovanie vlastností plazmy výkoného impulzného výboja : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 20.06.1979 : Projekt I-1-9/6 /
Sujet: elektronika a vákuová technika
- Príspevok k výpočtu oteplenia tenkej vrstvy viacvrstvej štruktúry oteplovanej elektrónovým zväzkom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 06.01.1982 /
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Niektoré problémy prípravy InP epitaxiálnych vrstiev z kvapalnej fázy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 04.07.1979 /
- Vysokofrekvenčné naprašovanie viaczložkových materiálov, najmä zliatin hliníka vhodných pre metalizáciu integrovaných obvodov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
- Problematika prípravy fotodetektorov na báze InP : Kand.diz.práca : V.odb. 16-10-9 : Obh. 12.10.1981 : Projekt III-7-2/06 /
- Vyšetrovanie polovodičových heteroštruktúr metódou EBIC a integrálnou katódoluminiscenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-09 : Obh. 14.12.1995 /
Auteur: Hábovčík, Peter
- Niektoré problémy prípravy InP epitaxiálnych vrstiev z kvapalnej fázy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 04.07.1979 /
- Problematika prípravy fotodetektorov na báze InP : Kand.diz.práca : V.odb. 16-10-9 : Obh. 12.10.1981 : Projekt III-7-2/06 /
- Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
- Vyšetrovanie polovodičových heteroštruktúr metódou EBIC a integrálnou katódoluminiscenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-09 : Obh. 14.12.1995 /
- Vybrané problémy širokopásmového optického prijímača : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 19.09.1995 /
- Príspevok k rozvoju metódy merania Rayleighovho rozptylu Mössbauerovského žiarenia : Kand.diz.práca : Obh. 01.04.1992 /