Similar Items: APCOM 2000. Applied physics of condensed matter 2000 :
- Applied physics of condensed matter 2005 : Proceedings
- Elektrony i dyrki v poluprovodnikach : Energetičeskij spektr i dinamika
- Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
- Metal silicides : Properties
- Properties of III - V quantum wells and superlattices
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
Topic: fyzika polovodičov
- Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /
Topic: fyzika tuhých látok
Author: Mudroň, Ján
- APCOM 2000. Applied physics of condensed matter 2000 : Proceedings of the 6th international workshop. Kočovce, Slovak Republic. 19.- 21. June 2000
- Elektrofyzikálne parametre kremíka po pôsobení neutrónov : Habil.práca : Obh. 12.04.1994 /
- Zmeny fyzikálnych parametrov kremíkových PN prechodov vyvolané rýchlymi neutrónmi : Obh.2.2.1984
- Základy klasickej elektrodynamiky /
- Fyzikálne základy mikro/opto elektroniky 2 /
- Základy kvantovej mechaniky /