Registos relacionados: Sledovanie hustoty poruchového náboja v povrchových stavoch oxidovaného kremíka, meraním vysokofrekvenčnej C-V krivky MOS štruktúry :
- Syntéza MOS štruktúr : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
- Výskum MOS štruktúr fotoelektrickými metódami : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.01.1982 : Projekt III-4-3/1 /
- Rozložení hustoty proudu v elektronových svazcích. Dodatek - Nefokusované svazky : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 18.11.1960 /
- Nízkoteplotné polovodičové teplomery z GaAs s malou magnetorezistenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-1 : Obh. 17.12.1971 /
- Príspevok k problematike skúmania pohyblivosti nosičov náboja v kanáli MIS tranzistora : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.03.1989 : Projekt III-6-1/13,III-7-2/04 /
- Závislost mezního kmitočtu tranzistoru na rozložení koncentrace nečistot v bázi a na velikosti proudové hustoty. Fyzikální teorie mezního kmitočtu : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 06.01.1967 /
Assunto: elektronika a vákuová technika
- Príspevok k výpočtu oteplenia tenkej vrstvy viacvrstvej štruktúry oteplovanej elektrónovým zväzkom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 06.01.1982 /
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Niektoré problémy prípravy InP epitaxiálnych vrstiev z kvapalnej fázy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 04.07.1979 /
- Vysokofrekvenčné naprašovanie viaczložkových materiálov, najmä zliatin hliníka vhodných pre metalizáciu integrovaných obvodov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
- Problematika prípravy fotodetektorov na báze InP : Kand.diz.práca : V.odb. 16-10-9 : Obh. 12.10.1981 : Projekt III-7-2/06 /
- Vyšetrovanie polovodičových heteroštruktúr metódou EBIC a integrálnou katódoluminiscenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-09 : Obh. 14.12.1995 /
Autor: Csabay, Otto, 1937-
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
- Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
- Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /
- Sledovanie hustoty poruchového náboja v povrchových stavoch oxidovaného kremíka, meraním vysokofrekvenčnej C-V krivky MOS štruktúry : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 17.12.1971 /