Ejemplares similares: Nízkoteplotné polovodičové teplomery z GaAs s malou magnetorezistenciou :
- Fotoluminiscenčná analýza poloizolačného GaAs/Cr/ : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 03.12.1987 : Projekt III-6-1/12 /
- Príspevok k štúdiu GaAs a jeho homológov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.12.1995 /
- Polovodičové vrstvy CdSe pre tenkovrstvový tranzistor : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.03.1973 /
- Polovodičové štruktúry elektricky programovateľných pevných pamätí s "plávajúcou" elektródou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 08.03.1979 /
- Sledovanie hustoty poruchového náboja v povrchových stavoch oxidovaného kremíka, meraním vysokofrekvenčnej C-V krivky MOS štruktúry : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 17.12.1971 /
- Vodíkové tacitrony : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.04.1967 /
Tópico: elektronika a vákuová technika
- Príspevok k výpočtu oteplenia tenkej vrstvy viacvrstvej štruktúry oteplovanej elektrónovým zväzkom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 06.01.1982 /
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Niektoré problémy prípravy InP epitaxiálnych vrstiev z kvapalnej fázy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 04.07.1979 /
- Vysokofrekvenčné naprašovanie viaczložkových materiálov, najmä zliatin hliníka vhodných pre metalizáciu integrovaných obvodov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
- Problematika prípravy fotodetektorov na báze InP : Kand.diz.práca : V.odb. 16-10-9 : Obh. 12.10.1981 : Projekt III-7-2/06 /
- Vyšetrovanie polovodičových heteroštruktúr metódou EBIC a integrálnou katódoluminiscenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-09 : Obh. 14.12.1995 /