Ejemplares similares: Nestabilitní jevy v soustavách s tenkými dielektrickými vrstvami :
- Charakterizácia elektrických vlastností štruktúr MOS s tenkými dielektrickými vrstvami s vysokou dielektrickou konštantou
- Stabilizácia kremíkových štruktúr dielektrickými vrstvami
- Fyzikálne vlastnosti termoakceptorov n InSb : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 27.01.1970 /
- Vodíkové tacitrony : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.04.1967 /
- Tunelové (Esakiho) diódy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.06.1966 /
- Syntéza MOS štruktúr : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
Tópico: elektronika a vákuová technika
- Príspevok k výpočtu oteplenia tenkej vrstvy viacvrstvej štruktúry oteplovanej elektrónovým zväzkom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 06.01.1982 /
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Niektoré problémy prípravy InP epitaxiálnych vrstiev z kvapalnej fázy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 04.07.1979 /
- Vysokofrekvenčné naprašovanie viaczložkových materiálov, najmä zliatin hliníka vhodných pre metalizáciu integrovaných obvodov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
- Problematika prípravy fotodetektorov na báze InP : Kand.diz.práca : V.odb. 16-10-9 : Obh. 12.10.1981 : Projekt III-7-2/06 /
- Vyšetrovanie polovodičových heteroštruktúr metódou EBIC a integrálnou katódoluminiscenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-09 : Obh. 14.12.1995 /