Documenti analoghi: Elektronické a mikroelektronické obvodové prvky :
- Elektronické a mikroelektronické obvodové prvky 4 : Tranzistory. Štvorvrstvové prvky, tyristory. Polovodičové súčiastky reagujúce na žiarenie. Polovodičové odporníky /
- Elektronické a mikroelektronické obvodové prvky : 2. Kondenzátory /
- Elektronické a mikroelektronické obvodové prvky 3 : Úvod do polovodičovej elektroniky. Polovodičové diódy /
- Elektronické a mikroelektronické prvky : Časť I.; 1.Výkonové a optické elektrónky; 2.Integrované obvody; 3.Obrázková príloha
- Elektronické a mikroelektronické prvky : Časť 2. 1. Výkonový unipolárny tranzistor. 2. Optoelektronické prvky. 3. Kvapalné kryštály. 4. Obrázková príloha /
- Elektronické a mikroelektronické prvky : Návody na cvičenia /
Autore: Csabay, Otto, 1937-
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
- Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
- Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /
- Sledovanie hustoty poruchového náboja v povrchových stavoch oxidovaného kremíka, meraním vysokofrekvenčnej C-V krivky MOS štruktúry : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 17.12.1971 /