Registos relacionados: Skúmanie rekombinačno-generačných procesov na rozhraní Si-SiO2 pomocou diód riadených hradlom :
- SiO2 in Si Microdevices
- The physics of SiO2 and its interfaces : Proceedings of the International topical conference. New York, 22.- 24. March 1978 /
- Príprava SiO2 vrstiev v mikrovlnnom kyslíkovom výboji a ich vlastnosti : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.01.1976 /
- Skúmanie vybraných vlastností Schottkyho štruktúr CrSi2-Si : Diplomová práca /
- Modelovanie kvantových vlastností štandardného a Schottkyho tranzistora s dvojitým hradlom (DG) na báze Si polovodiča
- Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
Autor: Hulényi, Ladislav, 1938-
- Application of spreading resistence profiling for monitoring of semiconductor technological processes = Využitie metódy rozptylového odporu na monitorovanie technologických procesov polovodičovej výroby : Dát. obhaj. 25.02.2010, č. ved. odb. 26-13-9
- Elektronické prvky a systémy
- Elektronické prvky a systémy
- Skúmanie rekombinačno-generačných procesov na rozhraní Si-SiO2 pomocou diód riadených hradlom : Habil.práca : Obh. 26.09.1978 /
- Skúmanie vlastností MIS tanzistorov pomocou nábojového čerpacieho javu
- Príprava SiO2 vrstiev v mikrovlnnom kyslíkovom výboji a ich vlastnosti : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.01.1976 /