Documents similaires: Príspevok k technológii a vlastnostiam fotoeletrických štruktúr :
- Príspevok k modelovaniu časove nezávislých lineárnych dynamických systémov so sústredenými parametrami : Habil.práca : Obh. 20.04.1992 /
- Meracia technika v moderných riadiacich systémoch : Habil.práca : Obh. 20.04.1992 /
- Nestability unipolárnych štruktúr : Habil.práca : Obh. 15.03.1992 /
- Príspevok k heuristickému hľadaniu riešenia : Habil.práca : Obh. 15.02.1977 /
- Príspevok k technológii prípravy optoelektronických prvkov na báze InP: defekty : Habil.práca : Obh. 00.01.1993 /
- Príspevok k syntéze lineárnych prenosových sústav : Habil.práca : Obh. 10.10.1995 /
Auteur: Kordoš, Peter, 1939-
- Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005
- Príspevok k technológii a vlastnostiam fotoeletrických štruktúr : Habil.práca : Obh. 20.04.1992 /
- Fyzikálne vlastnosti termoakceptorov n InSb : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 27.01.1970 /
- Preparation and properties of ohmic and Schottky/barrier contects on GaN : Diplomová práca
- Preparation and properties of GaAs photodetectors : Diplomová práca
- Automatizácia meracieho pracoviska jednosmerných (DC) a vysokofrekvenčných (HF) meraní = Desing and realisation of computer controlled measurement systems for the evaluation of direct-current (DC) and High-frequency (HF) paremeters of ... : Dipl.práca