Registos relacionados: Integrálna transportná teória prenosu prúdu v štruktúrach kov-polovodič-kov :
- Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /
- Characterization of electrical properties of Schottky structures supported by modelling and simulation = Charakteristika elektro fyzikálnych vlastností Schottkyho štruktúr podporená modelovaním a simuláciou : Dok.diz.práca. Dát. obhaj. 15.12.1998, Č.ved.odb.: 26-11-9
- Analýza kinetiky procesov v polovodičových štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín : Kand.diz.práca : Obh. 24.09.1996 /
- Diagnostika kvality polovodičových štruktúr a prvkov
- Quantom heterostructures : Microelectronics and optoelectronics
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
Assunto: Mikroelektronika
- Vyšetrovanie vlastností prvkov integrovanej fotoniky
- Plošné spoje pro mikroelektroniku /
- Fyzikálno-metalurgické aspekty bezolovnatých spájok v mikroelektronike
- Návrh a analýza moderných výkonových elektronických prvkov podporená modelovaním a simuláciou : dát. obhaj. 27.8.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Vlastnosti elektroluminiscenčných diód pre spintronické aplikácie : dát. obhaj. 7.11.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Syntéza uhlíkových nanorúrok a ich využitie pre senzorické aplikácie : dát. obhaj. 21.3.2014, č. ved. odb. 5-2-13
Assunto: polovodičové štruktúry
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
- Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
- Vybrané problémy technológie organických polovodičov pre optoelektronické aplikácie
- Charakterizácia polovodičových štruktúr : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 03.09.2003
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Autor: Racko, Juraj, 1953-
- Integrálna transportná teória prenosu prúdu v štruktúrach kov-polovodič-kov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 12.01.1995 /
- Modelovanie kvantovomechanických procesov v Zenerovej dióde = Modeling of quantum mechanic effects in Zener diode : Dipl.práca
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností Schottkyho štruktúr na GaN : Dipl.práca
- Modelovanie a simulácia Schottkyho štruktúr na GaN s uvažovaním kvantovo - mechanických efektov
- Modelovanie elektrických vlastností Schottkyho štruktúr
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí