-
Double-heterostructure AlGaAs/GaAs lasers = AlGaAs/GaAs lasery s dvojitým heteropriechodom : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 04. 04. 2002
-
Fotodetektory na báze heteropriechodov InGaAsp/InP : Habil.práca : Obh. 26.06.1994 /
-
Moderní učebnice elektroniky. 3. díl. Optoelektronika a optoelektrociké prvky : LED, laserová dioda, fotodioda...
-
Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
-
Pulzná laserová depozícia LSMO
-
Pulzná laserová depozícia MgO
-
Charakterizácia polovodičových štruktúr : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 03.09.2003
-
Optická charakterizácia polovovičových heteroštruktúr s mnohonásobnými kvantovými jamami : Diplomová práca
-
Moderní učebnice elektroniky. 4. díl. Přenosové charakteristiky elektronických obvodů, tranzistorové zesiloveče : Přechodné deje, kmitočtové charakteristiky...
-
Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
-
Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008
-
Vybrané problémy širokopásmového optického prijímača : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 19.09.1995 /
-
Parallel Fourier Doman Optical Coherence Tomography = Paralelná Fourierova optická koherenčná tomografia : Č.v.odb. 26-13-9. Obh. 26.06.2006
-
Electronics, Power Electronics, Optoelectronics, Microwaves, Electromagnetics and Radar : The Electrical Engineering Handbook /
-
Základy optoelektroniky /
-
Optoelektronika /
-
Optoelektronika /
-
Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte : č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005
-
ŠVOČ 2004. Sekcia: Mikroelektronika a optoelektronika : Zborník študenských vedeckých prác
-
Optical tomography = Optická tomografia : Dipl.práca
-
Charakterizácia elektrických a optických vlastností delta-dopovaných GaAs vrstiev a kvantových jám : č.ved.odb. 26-13-9. Dát.obhaj. 20.12.2006
-
Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP
-
Optická diagnostika parametrov polovodičových substrátov : Dipl.práca
-
Polovodičové lasery a optická tomografia : Dipl.práca