Documenti analoghi: Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách :
- Integrálna transportná teória prenosu prúdu v štruktúrach kov-polovodič-kov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 12.01.1995 /
- Diagnostika kvality polovodičových štruktúr a prvkov
- Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov
- Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov metódou DLTS
- Quantom heterostructures : Microelectronics and optoelectronics
- Niektoré technologické a fyzikálne problémy štruktúr MIS : Dokt.diz.práca : Projekt III-3-3/1,III-4-3/2,III-6-1/13,III-7-2/04,III-2-3/17,III-3-3/1 /
Soggetto: Mikroelektronika
- Vyšetrovanie vlastností prvkov integrovanej fotoniky
- Plošné spoje pro mikroelektroniku /
- Fyzikálno-metalurgické aspekty bezolovnatých spájok v mikroelektronike
- Návrh a analýza moderných výkonových elektronických prvkov podporená modelovaním a simuláciou : dát. obhaj. 27.8.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Vlastnosti elektroluminiscenčných diód pre spintronické aplikácie : dát. obhaj. 7.11.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Syntéza uhlíkových nanorúrok a ich využitie pre senzorické aplikácie : dát. obhaj. 21.3.2014, č. ved. odb. 5-2-13
Soggetto: fyzika polovodičov
- Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /
Autore: Rajniak, Daniel
Autore: Žiška, Milan, 1952-
- Charakterizácia vlastností štruktúr MOS novej generácie
- Meranie a testovanie vybraných parametrov DAB modulov
- Odporové prepínanie v štruktúrach kov-izolant-kov s využitím v nových pamäťových štruktúrach
- Analýza kvality mechatronických systémov
- Elektronické prvky: návody na cvičenia a prípravu projektov
- Elektronické prvky: návody na cvičenia a prípravu projektov