-
Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
-
Physical properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and INGaAsP /
-
III-IV quantum system research
-
Properties of gallium arsenide
-
Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
-
Príprava GaAs/InGaP kvantových drôtov MOVPE rastom na tvarovaných podložkách : V. odb. 26-13-9. Obh. 01.03.2001
-
Úvod do kvantové fysiky polovodičů
-
Properties of lattice - matched and strained Indium Galium Arsenide /
-
Properties of Aluminium Galium Arsenide /
-
Elektrony i dyrki v poluprovodnikach : Energetičeskij spektr i dinamika
-
APCOM 2000. Applied physics of condensed matter 2000 : Proceedings of the 6th international workshop. Kočovce, Slovak Republic. 19.- 21. June 2000
-
Applied physics of condensed matter 2005 : Proceedings
-
Optimalizácia vybraných vlastností rozhrania izolant - arzenid gália : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 15.02.1996 /
-
Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
-
Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
-
Fyzika : Fyzikálne základy elektroniky
-
Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
-
Fyzika tenkých vrstiev
-
Etude des propriétés structurelles, électroniques et magnétiques des couches minces de vanadium sur Fe(100) = štúdium štrukturálnych, elektronických a magnetických vlastností tenkých vrstiev vanádia na FE(100) : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 6.6.2000
-
Metal silicides : Properties
-
Solid-stade spectroscopy : An introduction
-
Characterization of electrical properties of Schottky structures supported by modelling and simulation = Charakteristika elektro fyzikálnych vlastností Schottkyho štruktúr podporená modelovaním a simuláciou : Dok.diz.práca. Dát. obhaj. 15.12.1998, Č.ved.odb.: 26-11-9
-
Solid Surfaces, Interfaces and Thin Films
-
Fabrication of GaAs Devices
-
Syntéza uhlíkových nanorúrok a ich využitie pre senzorické aplikácie : dát. obhaj. 21.3.2014, č. ved. odb. 5-2-13
-
Tenké vrstvy pre medicínske aplikácie : č.ved.odb. 26-13-9, dát. obhaj. 17.12.2008
-
Diamond in Nanotechnology : dát. obhaj. 25.2.2013, č. ved. odb. 5-2-13
-
Applicability of Diamond and Diamond-like Carbon Thin Films as Biomaterials. : Dát. obhaj. 9.8.2011, č. ved. odb. 5-2-13
-
Investigation of Nucleation and Growth of Diamond and DLC Thin Films : dát. obhaj. 30.1.2012, ved. odb. 5-2-13
-
Etude des propriétés structurelles, électroniques et magnétiques des couches minces de vanadium sur Fe(100) = štúdium štrukturálnych, elektronických a magnetických vlastností tenkých vrstiev vanádia na FE(100) : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 6.6.2000
-
Inteligentné materiály
-
Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
-
Príspevok k štúdiu GaAs a jeho homológov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.12.1995 /
-
Epitaxný rast: model a experiment = Epitaxial growth: model and experiment : Dizer.práca : Obh. 23.06.1995 : Projekt 1-9903024/92,1747/94 /
-
Atómová sonda iónového mikroskopu : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 19.04.1974 /
-
Hmotnostná spektrometria sekundárnych iónov : Habil.práca : Obh. 12.07.1991 : Projekt III-4-3/4 /
-
Návrh systému úschovy a vyhodnocovania dát z technologického procesu rastu diamantových vrstiev a meranie ich elektrických vlastností
-
Elektrické kontakty na diamantových s DLC vrstvách
-
Výskum povrchov, pevných látok pomocou AES, DPE a HSSI : Etapová správa o riešení čiastkovej úlohy III-4-3/4 štátného plánu základného výskumu
-
Elektrónová a iónová spektroskopia mikroelektronických štruktúr : Priebežná výskumná správa úlohy III-6-1/08
-
Využitie LEED a AUGER spektroskopie v ultravákuu na výskum meteriálov a procesov : Štátna výskumná úloha III-3-3/2-časť b. Dielčia správa za rok 1972
-
Povrchy, rozhrania a vrstvy v mikroelektronike : Záverečná výskumná správa čiastkovej úlohy ŠPZV III-7-2/03
-
Využitie LEED a AUGER spektroskopie v ultravákuu na výskum meteriálov a procesov : Štátna výskumná úloha III-3-3/2-časť a. Dielčia správa za rok 1972
-
Kvantová mechanika v obrazoch /
-
Vákuum a progresívne materiály. Vacuum and Advanced Materials : Škola vákuovej techniky. 8.-11.september 2011, Štrbské Pleso
-
17. škola vákuovej techniky Analýza materiálov vo vákuu. Material analysis in vacuum : Zborník. 2-5 Október 2014, Štrbské Pleso, Slovakia
-
Obnova a výroba Zr/W katód pre emisiu elektrickým poľom = On the recovery and fabricacion of Zr/W field emitters: Apreliminary investigation : Diplomová práca /
-
Hĺbková rozlišovacia schopnosť v SIMS analýze : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 19.09.1995 /