Registos relacionados: Handbook of plasma processing technology :
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Process engineering analysis in semiconductor device fabrication /
- Semiconductor surfaces
- Semiconductor surfaces and interfaces /
- Suché leptanie polovodičov podporované svetelným žiarením : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 13.04.1994 /
- Vybraná témata z fyziky povrchů : Vícevrstevné systémy a tenké organické filmy
Assunto: plazma
- Skúmanie vplyvu hodnoty pracovného napätia na úroveň lesku pri úprave povrchu odliatkov plazmovým výbojom v elektrolyte.
- Simulácia delenia materiálu v programe ABB Robotstudio
- Odhrotovanie hlavičky zubnej turbíny plazmovým výbojom v elektrolyte = Deburring of dental-drill heads with plasma discharge in an electrolyte : Diplomová práca
- Sledovanie zmien vlastností pracovného roztoku pri plazmovom leštení antikoróznych ocelí = Monitoring of changes of electrolyte properties by plasma polishing : Bakalárska práca
- Sledovanie životnosti úprav atmosférickou plazmou aplikovanou na prírodné materiály.
- Štúdium stárnutia netkaných textlíií z biodegradovateľných polymérov
Assunto: fyzika polovodičov
- Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /