Similar Items: Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP :
- Optoelectronic devices in e-learning = Optoelektronické prvky ako súčasť elektronického vzdelávania
- Vybrané problémy technológie organických polovodičov pre optoelektronické aplikácie
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
- Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
- Meranie vybraných parametrov optoelektronických polovodičových prvkov
- Optoelektronické zpracování informace /
Topic: polovodičové štruktúry
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
- Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
- Vybrané problémy technológie organických polovodičov pre optoelektronické aplikácie
- Charakterizácia polovodičových štruktúr : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 03.09.2003
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Topic: optoelektronické prvky
- Optický kódový multiplex : V.odb. 26-13-9, Obh. 19.5.2003
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
- Vybrané problémy technológie organických polovodičov pre optoelektronické aplikácie
- Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
- Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /
- Charakterizácia vlastností optoelektronických prvkov so zabudovaným mikrorezonátorom
Author: Kováč, Jaroslav, 1947-
- Komunikačný systém pre optický prenos dát vo voľnom priestore : Dipl.práca
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov
- Charakterizácia elektrických a optických vlastností delta-dopovaných GaAs vrstiev a kvantových jám : č.ved.odb. 26-13-9. Dát.obhaj. 20.12.2006
- Characterization of rubrene thin films by optical techniques = Charakterizácia tenkých vrstiev optickými metódami : Čís.ved.odb. 26-13-9, Dát. obhaj. 09-07-2009
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000