Kanäle - Vybrané problémy rozhraní a heteroštruktúr v mikro- a nanoelektronike : :: Spolocny katalog EUBA/STU

Ähnliche Einträge: Vybrané problémy rozhraní a heteroštruktúr v mikro- a nanoelektronike :

Vorschau
Third Bratislava days on molecular beam epitaxy : International Worshop : Konf. MBE, Bratislava, Slovak Republic, 16.- 17. May 1996 /
Vorschau
Heterostructure epitaxy and devices : Workshop : Konf. Smolenice Castle, Slovak Republic, 17.- 21. Oct.1993
Vorschau
Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
Vorschau
Semiconductor technologies
Vorschau
Príprava GaAs/InGaP kvantových drôtov MOVPE rastom na tvarovaných podložkách : V. odb. 26-13-9. Obh. 01.03.2001
Vorschau
Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
Vorschau
Heterostructure epitaxy and devices : 2nd international workshop : Konf. HEAD '95, Smolenice, Slovakia, 15.- 19. oct. 1995
Vorschau
Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
Vorschau
Electronic states and optical transitions in semiconductor heterostructures
Vorschau
Analýza kovových heteroštruktúr a rozhraní pomocou SIMS
Vorschau
Vyšetrovanie polovodičových heteroštruktúr metódou EBIC a integrálnou katódoluminiscenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-09 : Obh. 14.12.1995 /
Vorschau
Základní procesy růstu monokrystalů pro optoelektroniku
Vorschau
Advances in epitaxy and endotaxy : Selected chemical problems /
Vorschau
Advances in epitaxy and endotaxy : Selected chemical problems /
Vorschau
Properties of III - V quantum wells and superlattices
Vorschau
Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
Vorschau
Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
Vorschau
Properties of gallium arsenide
Vorschau
Charakterizácia polovodičových štruktúr : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 03.09.2003
Vorschau
Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /
Vorschau
Physics and techology of heterojunction devices /
Vorschau
Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
Vorschau
Nábojové pumpy : Funkce, přehled a použití
Vorschau
Modelovanie a simulácia elektrických vlastností polovodičových štruktúr : Habil.práca : Obh. 12.04.1994 /

Thema: polovodičové štruktúry

Thema: heteroštruktúry

Verfasser: Redhammer, Robert, 1963-