Documents similaires: Simulácia, meranie a vyhodnocovanie koncentračných profilov prímesí v polovodičových štruktúrach :
- Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
- Analýza kinetiky procesov v polovodičových štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín : Kand.diz.práca : Obh. 24.09.1996 /
- Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
- Diagnostika kvality polovodičových štruktúr a prvkov
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
- Defects in High-k Gate Dielectric Stacks : Nano-Electronic Semiconductor Devices
Sujet: polovodičové štruktúry
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
- Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
- Vybrané problémy technológie organických polovodičov pre optoelektronické aplikácie
- Charakterizácia polovodičových štruktúr : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 03.09.2003
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Sujet: fyzika polovodičov
- Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
- Application of polyimide films in microelectronics = Využitie polyimidových vrstiev v mikroelektronike : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 21.11.2001
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /
Auteur: Kinder, Rudolf, 1940-
- Automatický merací systém s PC = Automatic measuring system with PC : Dipl.práca
- Automatický merací systém s PC
- Merací systém s PC
- Modifikácia meracieho systému s PC
- Simulácia, meranie a vyhodnocovanie koncentračných profilov prímesí v polovodičových štruktúrach : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
- Príspevok ku skúmaniu koncentračných profilov implantovaných vrstiev