Ähnliche Einträge: Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte :
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Niektoré aspekty technológie a využitia epitaxných vrstiev INxGa1-xP
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
- Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP
- Homoštrukturálne VS. heteroštrukturálne GaAs detektory s P-N priechodom
- Mikrosenzor plynu pripravený na GaAs substráte
Thema: elektronika
- Součástky pro elektroniku
- Organické materiály pre elektroniku, optoelektroniku a senzoriku aplikácia moderných spektroelektrochemických techník a metód počítačovej chémie
- Optický kódový multiplex : V.odb. 26-13-9, Obh. 19.5.2003
- Komunikačný systém pre optický prenos dát vo voľnom priestore : Dipl.práca
- Česko-ruský elektrotechnický a elektronický slovník
- Mechatronics : A Foundation Course
Verfasser: Peternai, Loránt, 1977-
- Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte : č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005
- Charakterizácia elektrických a optických vlastností elektroluminiscenčných diód na organickej a anaorganickej báze
- Charakterizácia vlastností polovodičov a organických látok metódou merania priepustnosti vo viditeľnej oblasti spektra
- Ohmické kontakty pre polovodičové materiály typu A3B5
Verfasser: Kováč, Jaroslav, 1947-
- Komunikačný systém pre optický prenos dát vo voľnom priestore : Dipl.práca
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov
- Charakterizácia elektrických a optických vlastností delta-dopovaných GaAs vrstiev a kvantových jám : č.ved.odb. 26-13-9. Dát.obhaj. 20.12.2006
- Characterization of rubrene thin films by optical techniques = Charakterizácia tenkých vrstiev optickými metódami : Čís.ved.odb. 26-13-9, Dát. obhaj. 09-07-2009
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000