Cita APA (7a ed.)
Stoklas, R., & Gregušová, D. (2008). Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN: č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV.
Cita Chicago Style (17a ed.)
Stoklas, Roman, y Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Bratislava: Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
Cita MLA (9a ed.)
Stoklas, Roman, y Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.