APA-Zitierstil (7. Ausg.)
Stoklas, R., & Gregušová, D. (2008). Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN: č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)
Stoklas, Roman, und Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Bratislava: Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)
Stoklas, Roman, und Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.