Stoklas, R., & Gregušová, D. (2008). Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN: č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podle Chicago (17th ed.)
Stoklas, Roman, a Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Bratislava: Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podľa MLA (8th ed.)
Stoklas, Roman, a Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..