Stoklas, R., & Gregušová, D. (2008). Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN: č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV.
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Citazione stile Chigago Style (17a edizione)
Stoklas, Roman, e Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Bratislava: Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
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Citatione MLA (9a ed.)
Stoklas, Roman, e Dagmar Gregušová. Charakterizácia a Vlastnosti štruktúr Typu MIS-HFET Na Báze GaN: č. Ved. Odb. 26-13-9, Obhaj. 11.6.2008. Elektrotechnický ústav SAV, 2008.
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