Vogt, H. (1986). Hochdosisimplamtation von Stickstoff in Silizium: Eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte. VDI Verlag.
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Citazione stile Chigago Style (17a edizione)
Vogt, H. Hochdosisimplamtation Von Stickstoff in Silizium: Eine Technik Zur Erzeugung Von Dielektrisch Isolierten CMOS-Bauelementen Mit Hoher Integrationsdichte. Düsseldorf: VDI Verlag, 1986.
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Citatione MLA (9a ed.)
Vogt, H. Hochdosisimplamtation Von Stickstoff in Silizium: Eine Technik Zur Erzeugung Von Dielektrisch Isolierten CMOS-Bauelementen Mit Hoher Integrationsdichte. VDI Verlag, 1986.
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