Seifert, I., Racko, J., & Drobný, V. (1999). Modelovanie kvantovomechanických procesov v degenerovaných polovodičových štruktúrach = Numerical simulation of electrical characteristics of high dopping level semiconductor devices: Dipl.práca. STU v Bratislave FEI.
Successfully copied to clipboard
Copying to clipboard failed
Chicago Style (17th ed.) Citation
Seifert, Ivan, Juraj Racko, and Vladimír Drobný. Modelovanie Kvantovomechanických Procesov V Degenerovaných Polovodičových štruktúrach = Numerical Simulation of Electrical Characteristics of High Dopping Level Semiconductor Devices: Dipl.práca. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 1999.
Successfully copied to clipboard
Copying to clipboard failed
MLA (9th ed.) Citation
Seifert, Ivan, et al. Modelovanie Kvantovomechanických Procesov V Degenerovaných Polovodičových štruktúrach = Numerical Simulation of Electrical Characteristics of High Dopping Level Semiconductor Devices: Dipl.práca. STU v Bratislave FEI, 1999.
Successfully copied to clipboard
Copying to clipboard failed
Warning: These citations may not always be 100% accurate.