Bernát, J., Donoval, D., & Kordoš, P. (2005). Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podle Chicago (17th ed.)
Bernát, Juraj, Daniel Donoval, a Peter Kordoš. Výroba a Charakterizácia Tranzistorov a Dvojdimenzionálnym Elektrónovým Plynom Na AIGaN/GaN Heteroštruktúre Pre Výkonové Aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2005.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podľa MLA (8th ed.)
Bernát, Juraj, et al. Výroba a Charakterizácia Tranzistorov a Dvojdimenzionálnym Elektrónovým Plynom Na AIGaN/GaN Heteroštruktúre Pre Výkonové Aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI, 2005.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..