Bernát, J., Donoval, D., & Kordoš, P. (2005). Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Cita Chicago Style (17a ed.)
Bernát, Juraj, Daniel Donoval, y Peter Kordoš. Výroba a Charakterizácia Tranzistorov a Dvojdimenzionálnym Elektrónovým Plynom Na AIGaN/GaN Heteroštruktúre Pre Výkonové Aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2005.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Cita MLA (9a ed.)
Bernát, Juraj, et al. Výroba a Charakterizácia Tranzistorov a Dvojdimenzionálnym Elektrónovým Plynom Na AIGaN/GaN Heteroštruktúre Pre Výkonové Aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI, 2005.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.