Style de citation APA (7e éd.)
Bernát, J., Donoval, D., & Kordoš, P. (2005). Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI.
Style de citation Chicago (17e éd.)
Bernát, Juraj, Daniel Donoval, et Peter Kordoš. Výroba a Charakterizácia Tranzistorov a Dvojdimenzionálnym Elektrónovým Plynom Na AIGaN/GaN Heteroštruktúre Pre Výkonové Aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2005.
Style de citation MLA (9e éd.)
Bernát, Juraj, et al. Výroba a Charakterizácia Tranzistorov a Dvojdimenzionálnym Elektrónovým Plynom Na AIGaN/GaN Heteroštruktúre Pre Výkonové Aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications: Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI, 2005.
Attention : ces citations peuvent ne pas être correctes à 100%.