Peternai, L., & Kováč, J. (2002). Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte: č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podle Chicago (17th ed.)
Peternai, Loránt, a Jaroslav Kováč. Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P Based Active Layers for Light Emitting Diode Structures Directly Grow on GaP Substrate = Výskum a Charakterizácia Vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP Aktívnych Oblastí Pre Elektroluminiscenčné Diódy Pripravených Na GaP Substráte: č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2002.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podľa MLA (8th ed.)
Peternai, Loránt, a Jaroslav Kováč. Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P Based Active Layers for Light Emitting Diode Structures Directly Grow on GaP Substrate = Výskum a Charakterizácia Vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP Aktívnych Oblastí Pre Elektroluminiscenčné Diódy Pripravených Na GaP Substráte: č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI, 2002.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..