Peternai, L., & Kováč, J. (2002). Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte: č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Cita Chicago Style (17a ed.)
Peternai, Loránt, y Jaroslav Kováč. Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P Based Active Layers for Light Emitting Diode Structures Directly Grow on GaP Substrate = Výskum a Charakterizácia Vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP Aktívnych Oblastí Pre Elektroluminiscenčné Diódy Pripravených Na GaP Substráte: č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2002.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Cita MLA (9a ed.)
Peternai, Loránt, y Jaroslav Kováč. Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P Based Active Layers for Light Emitting Diode Structures Directly Grow on GaP Substrate = Výskum a Charakterizácia Vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP Aktívnych Oblastí Pre Elektroluminiscenčné Diódy Pripravených Na GaP Substráte: č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005. STU v Bratislave FEI, 2002.
Copiado correctamente al portapapeles
Error al copiar al portapapeles
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.