Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte : č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005 - Peternai, Loránt, 1977- (STU v Bratislave FEI, 2002)