Cita APA (7a ed.)
Válik, L., & Harmatha, L. (2015). Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory.
Cita Chicago Style (17a ed.)
Válik, Lukáš, y Ladislav Harmatha. Charakterizácia MOS Heteroštruktúr Na Báze GaN Pre Bezpečné Obohacovacie Tranzistory. 2015.
Cita MLA (9a ed.)
Válik, Lukáš, y Ladislav Harmatha. Charakterizácia MOS Heteroštruktúr Na Báze GaN Pre Bezpečné Obohacovacie Tranzistory. 2015.
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.