Szobolovszký, R., & Kováč, J. (2019). Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: Dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13. STU v Bratislave FEI.
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Szobolovszký, Robert, und Jaroslav Kováč. Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: Dátum Obhajoby 26.8.2019, č. Ved. Odboru 5-2-13. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2019.
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MLA-Zitierstil (9. Ausg.)
Szobolovszký, Robert, und Jaroslav Kováč. Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: Dátum Obhajoby 26.8.2019, č. Ved. Odboru 5-2-13. STU v Bratislave FEI, 2019.
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