Szobolovszký, R., & Kováč, J. (2019). Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: Dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13. STU v Bratislave FEI.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podle Chicago (17th ed.)
Szobolovszký, Robert, a Jaroslav Kováč. Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: Dátum Obhajoby 26.8.2019, č. Ved. Odboru 5-2-13. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2019.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podľa MLA (8th ed.)
Szobolovszký, Robert, a Jaroslav Kováč. Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: Dátum Obhajoby 26.8.2019, č. Ved. Odboru 5-2-13. STU v Bratislave FEI, 2019.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..