Cita APA (7a ed.)
Szobolovszký, R., & Kováč, J. (2019). Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: Dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13. STU v Bratislave FEI.
Cita Chicago Style (17a ed.)
Szobolovszký, Robert, y Jaroslav Kováč. Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: Dátum Obhajoby 26.8.2019, č. Ved. Odboru 5-2-13. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2019.
Cita MLA (9a ed.)
Szobolovszký, Robert, y Jaroslav Kováč. Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: Dátum Obhajoby 26.8.2019, č. Ved. Odboru 5-2-13. STU v Bratislave FEI, 2019.
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.