Citáce podľa APA (7th ed.)
Drobný, J., & Stuchlíková, Ľ. (2018). Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN.
Citácia podle Chicago (17th ed.)
Drobný, Jakub, a Ľubica Stuchlíková. Elektrická Charakterizácia MOS-HEMT štruktúr Na Báze GaN. 2018.
Citácia podľa MLA (8th ed.)
Drobný, Jakub, a Ľubica Stuchlíková. Elektrická Charakterizácia MOS-HEMT štruktúr Na Báze GaN. 2018.
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..