Pohorelec, O., & Stuchlíková, Ľ. (2018). Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podle Chicago (17th ed.)
Pohorelec, Ondrej, a Ľubica Stuchlíková. Effect of Different Si Doping on the Defects Distribution in the GaN-based Structures. 2018.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podľa MLA (8th ed.)
Pohorelec, Ondrej, a Ľubica Stuchlíková. Effect of Different Si Doping on the Defects Distribution in the GaN-based Structures. 2018.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..