Documenti analoghi: Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET
- Compact model extraction from quantum corrected statistical Monte Carlo simulation of random dopant induced drain current variability
- <The> Length of the Distribution Channel As a Factor of Its Efficiency
- Dopants and Defects in Semiconductors
- <A> simulation study of the run length distribution
- Výkonové tranzistory MOSFET
- Random-Process Simulation and Measurements. /
Autore: Kováč, Urban
- Vizualizácia komunikácie v GPRS/UMTS sieťach
- Moderné prístupy k modelovaniu správania sa ceny aktív na finančných trhoch
- Teória optimálneho zdanenia príjmu
- Hlavné úlohy a ciele konvergenčného procesu krajín SVE a EMÚ
- Fiškálna decetralizácia v SR
- Využitie umelej inteligencie na globálnych kapitálových trhoch (s aplikáciou na New Yorskej burze cenných papierov a NASDAQu) dizertačná práca