Similar Items: Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Návrh modelu a počítačová simulácia elektrických vlastností InAlN/GaN HEMT
- Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
Topic: Mikroelektronika
- Vyšetrovanie vlastností prvkov integrovanej fotoniky
- Plošné spoje pro mikroelektroniku /
- Fyzikálno-metalurgické aspekty bezolovnatých spájok v mikroelektronike
- Návrh a analýza moderných výkonových elektronických prvkov podporená modelovaním a simuláciou : dát. obhaj. 27.8.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Vlastnosti elektroluminiscenčných diód pre spintronické aplikácie : dát. obhaj. 7.11.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Syntéza uhlíkových nanorúrok a ich využitie pre senzorické aplikácie : dát. obhaj. 21.3.2014, č. ved. odb. 5-2-13
Topic: elektronika
- Součástky pro elektroniku
- Organické materiály pre elektroniku, optoelektroniku a senzoriku aplikácia moderných spektroelektrochemických techník a metód počítačovej chémie
- Optický kódový multiplex : V.odb. 26-13-9, Obh. 19.5.2003
- Komunikačný systém pre optický prenos dát vo voľnom priestore : Dipl.práca
- Česko-ruský elektrotechnický a elektronický slovník
- Mechatronics : A Foundation Course
Author: Molnár, Marián, 1986-
Author: Racko, Juraj, 1953-
- Integrálna transportná teória prenosu prúdu v štruktúrach kov-polovodič-kov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 12.01.1995 /
- Modelovanie kvantovomechanických procesov v Zenerovej dióde = Modeling of quantum mechanic effects in Zener diode : Dipl.práca
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností Schottkyho štruktúr na GaN : Dipl.práca
- Modelovanie a simulácia Schottkyho štruktúr na GaN s uvažovaním kvantovo - mechanických efektov
- Modelovanie elektrických vlastností Schottkyho štruktúr
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí