Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Guardado en:

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Rybakov, Timur (Autor)
Otros Autores:	Chvála, Aleš (Orientador)
Formato:	Manuscrito Libro
Lenguaje:	eslovaco
Publicado:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Materias:	testovacie štruktúry naparovanie kovových vrstiev InAlN/GaN heteroštruktúry optimalizácia teploty žíhania predpríprava povrchu elektrické vlastnosti kontaktov leptanie v HCl výrobný proces odprášenie argónovou plazmou surface pre-treatment manufacturing process argon plasma cleaning metal layer deposition annealing temperature optimization electrical properties of contacts HCl etching test structures InAlN/GaN heterostructures
Acceso en línea:	https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

View in STU Opac

Internet