Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Enregistré dans:
Auteur principal: Rybakov, Timur (Auteur)
Autres auteurs: Chvála, Aleš (Directeur de thèse)
Format: Manuscrit Livre
Langue:slovaque
Publié: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Sujets:
testovacie štruktúry
naparovanie kovových vrstiev
InAlN/GaN heteroštruktúry
optimalizácia teploty žíhania
predpríprava povrchu
elektrické vlastnosti kontaktov
leptanie v HCl
výrobný proces
odprášenie argónovou plazmou
surface pre-treatment
manufacturing process
argon plasma cleaning
metal layer deposition
annealing temperature optimization
electrical properties of contacts
HCl etching
test structures
InAlN/GaN heterostructures
Accès en ligne:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Documents similaires: Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Documents similaires