Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Uložené v:
Hlavný autor: Rybakov, Timur (Autor)
Ďalší autori: Chvála, Aleš (Vedúci práce)
Médium: Rukopis Kniha
Jazyk:Slovak
Vydavateľské údaje: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Predmet:
testovacie štruktúry
naparovanie kovových vrstiev
InAlN/GaN heteroštruktúry
optimalizácia teploty žíhania
predpríprava povrchu
elektrické vlastnosti kontaktov
leptanie v HCl
výrobný proces
odprášenie argónovou plazmou
surface pre-treatment
manufacturing process
argon plasma cleaning
metal layer deposition
annealing temperature optimization
electrical properties of contacts
HCl etching
test structures
InAlN/GaN heterostructures
On-line prístup:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha
Tagy: Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!

Podobné jednotky: Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Podobné jednotky