Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Guardado en:
Autor principal: Rybakov, Timur (Autor)
Otros Autores: Chvála, Aleš (Orientador)
Formato: Manuscrito Libro
Lenguaje:eslovaco
Publicado: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Materias:
testovacie štruktúry
naparovanie kovových vrstiev
InAlN/GaN heteroštruktúry
optimalizácia teploty žíhania
predpríprava povrchu
elektrické vlastnosti kontaktov
leptanie v HCl
výrobný proces
odprášenie argónovou plazmou
surface pre-treatment
manufacturing process
argon plasma cleaning
metal layer deposition
annealing temperature optimization
electrical properties of contacts
HCl etching
test structures
InAlN/GaN heterostructures
Acceso en línea:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
Descripción Física:51 s.

Ejemplares similares