Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Salvato in:

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Rybakov, Timur (Autore)
Altri autori:	Chvála, Aleš (Relatore della tesi)
Natura:	Manoscritto Libro
Lingua:	slovacco
Pubblicazione:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Soggetti:	testovacie štruktúry naparovanie kovových vrstiev InAlN/GaN heteroštruktúry optimalizácia teploty žíhania predpríprava povrchu elektrické vlastnosti kontaktov leptanie v HCl výrobný proces odprášenie argónovou plazmou surface pre-treatment manufacturing process argon plasma cleaning metal layer deposition annealing temperature optimization electrical properties of contacts HCl etching test structures InAlN/GaN heterostructures
Accesso online:	https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha
Tags:	Aggiungi Tag Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stuzp101890
003	SK-STU
005	20260128141527.9
007	ta
008	150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
044			\|a xo
100	1		\|a Rybakov, Timur \|u 033000 \|4 aut \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 122650 \|U E030 \|Y 549 \|7 122650
242	0	1	\|a Optimization of Ohmic Contacts for InAlN/GaN Transistors \|y eng
245	1	0	\|a Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2025
300			\|a 51 s.
650		4	\|a testovacie štruktúry \|2 slo
650		4	\|a naparovanie kovových vrstiev \|2 slo
650		4	\|a InAlN/GaN heteroštruktúry \|2 slo
650		4	\|a optimalizácia teploty žíhania \|2 slo
650		4	\|a predpríprava povrchu \|2 slo
650		4	\|a elektrické vlastnosti kontaktov \|2 slo
650		4	\|a leptanie v HCl \|2 slo
650		4	\|a výrobný proces \|2 slo
650		4	\|a odprášenie argónovou plazmou \|2 slo
650		4	\|a surface pre-treatment \|2 eng
650		4	\|a manufacturing process \|2 eng
650		4	\|a argon plasma cleaning \|2 eng
650		4	\|a metal layer deposition \|2 eng
650		4	\|a annealing temperature optimization \|2 eng
650		4	\|a electrical properties of contacts \|2 eng
650		4	\|a HCl etching \|2 eng
650		4	\|a test structures \|2 eng
650		4	\|a InAlN/GaN heterostructures \|2 eng
700	1		\|a Chvála, Aleš \|u 033000 \|k Z1 \|4 ths \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 10315 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000010315
856	4		\|u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha