Documenti analoghi: Tunable resonant cavity enhanced photodetectors :
- Lavínová fotodióda s oddelenou absorpčnou nábojovou a násobiacou vrstvou na báze InGaAs/InP : Ved. od. 26-13-9. Obh. 10.3.2006
- Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 11.10.2001
- Resonant cavity enhanced photodetectors : Kand.diz.práca : Obhj. 17.09.1998
- Príspevok k technológii prípravy optoelektronických prvkov na báze InP: defekty : Habil.práca : Obh. 00.01.1993 /
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Fabrication of GaAs Devices
Soggetto: fotodetektory
- Tunable resonant cavity enhanced photodetectors : Diz.práca: Obh. 22.12.1999
- Detekcia a spracovanie optických signálov v optickom prenosovom médiu
- Resonant cavity enhanced photodetectors : Kand.diz.práca : Obhj. 17.09.1998
- Problematika prípravy fotodetektorov na báze InP : Kand.diz.práca : V.odb. 16-10-9 : Obh. 12.10.1981 : Projekt III-7-2/06 /
- Vybrané problémy širokopásmového optického prijímača : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 19.09.1995 /
- Fotodetektory na báze heteropriechodov InGaAsp/InP : Habil.práca : Obh. 26.06.1994 /
Soggetto: fotodiódy
- Tunable resonant cavity enhanced photodetectors : Diz.práca: Obh. 22.12.1999
- Lavínová fotodióda s oddelenou absorpčnou nábojovou a násobiacou vrstvou na báze InGaAs/InP : Ved. od. 26-13-9. Obh. 10.3.2006
- Vyšetrovanie polovodičových heteroštruktúr metódou EBIC a integrálnou katódoluminiscenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-09 : Obh. 14.12.1995 /
- Fotodetektory na báze heteropriechodov InGaAsp/InP : Habil.práca : Obh. 26.06.1994 /
- Optical semiconductor devices