Documenti analoghi: Fyzikálne vlastnosti termoakceptorov n InSb :
- Príprava Hallových a magnetoodporových sond naparovaním InSb vo vákuu a rozbor ich vlastností : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 12.05.1966 /
- Fyzikálne vlastnosti germániových tenkých vrstiev a rozbor podmienok ich prípravy impulzným katódovým naprašovaním : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.03.1969 /
- Nestabilitní jevy v soustavách s tenkými dielektrickými vrstvami : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 10.05.1970 /
- Vodíkové tacitrony : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.04.1967 /
- Príprava tenkých vrstiev Si3N4 plazmatickým, katódovým naprašovaním a analýza ich vlastností : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 20.02.1975 /
- Tunelové (Esakiho) diódy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.06.1966 /
Soggetto: elektronika a vákuová technika
- Príspevok k výpočtu oteplenia tenkej vrstvy viacvrstvej štruktúry oteplovanej elektrónovým zväzkom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 06.01.1982 /
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Niektoré problémy prípravy InP epitaxiálnych vrstiev z kvapalnej fázy : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 04.07.1979 /
- Vysokofrekvenčné naprašovanie viaczložkových materiálov, najmä zliatin hliníka vhodných pre metalizáciu integrovaných obvodov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
- Problematika prípravy fotodetektorov na báze InP : Kand.diz.práca : V.odb. 16-10-9 : Obh. 12.10.1981 : Projekt III-7-2/06 /
- Vyšetrovanie polovodičových heteroštruktúr metódou EBIC a integrálnou katódoluminiscenciou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-09 : Obh. 14.12.1995 /
Autore: Kordoš, Peter, 1939-
- Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005
- Príspevok k technológii a vlastnostiam fotoeletrických štruktúr : Habil.práca : Obh. 20.04.1992 /
- Fyzikálne vlastnosti termoakceptorov n InSb : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 27.01.1970 /
- Preparation and properties of ohmic and Schottky/barrier contects on GaN : Diplomová práca
- Preparation and properties of GaAs photodetectors : Diplomová práca
- Automatizácia meracieho pracoviska jednosmerných (DC) a vysokofrekvenčných (HF) meraní = Desing and realisation of computer controlled measurement systems for the evaluation of direct-current (DC) and High-frequency (HF) paremeters of ... : Dipl.práca