-
Technológia a charakterizácia tenkých vrstiev nitridov a oxidov kovov pre použitie v mikroelektronike, senzorike a mikrosystémovej technike : dát. obhaj. 7.5.2010, č.ved.odb. 26-35-9
-
Tenké vrstvy pre medicínske aplikácie : č.ved.odb. 26-13-9, dát. obhaj. 17.12.2008
-
Naprašované tenké vrstvy ZnO:Al, Ga, Sc
-
Tenké vrstvy, príprava a technické aplikácie : Odborný seminár : Konf. Bratislava. 5.decembra 1996
-
Dusíkom dopované tenké vrstvy oxidu zinku pripravené VF diódovým naprašovaním : č.ved.odb. 5-2-13. Obhaj. 12.12.2007
-
Tenké vrstvy
-
Tvrdé a supertvrdé vrstvy na báze titánu : Dizertačná práca
-
Naprašovanie transparentných vodivých tenkých vrstiewv oxidov Zn : Dát. obhaj22.6.2010, č. ved. odb. 5-2-13
-
Tenkovrstvové mikroštruktúry pre aplikácie v elektrotechnických senzoroch : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
-
Metódy vytvárania tenkých vrstiev
-
The Materials Science of Thin Films /
-
Proceedings of the 7th Czecho-Slovak conference on thin films : Konf. Liptovský Mikuláš, 14.- 18. June 1993 : Obs. Zv.1:, s.1-178. Zv.2:, s.179-368 /
-
Langmuir-Blodgettovej vrstvy elektrické vlastnosti : Obhajoba 06.02.2001
-
Príprava a vlastnosti tenkých oxidových supravodivých vrstiev na báze TI a možnosti ich aplikácie v oblasti kryoelektroniky : č.ved.odb. 5-2-48. Obhaj. 22.9.2010
-
Optimalizácia senzorických vlastností naprašovaných tenkých vrstiev : Obhaj. 7.4.2005, čís.ved.odb. 26-13-9
-
Príprava a štúdium vlastností tenkých vrstiev manganitov a heteroštruktúr izolant/manganit pripravených metódou MOCVD
-
Nitridové vrstvy pre Schottkyho kontakty na GaAs : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 20.10.1994 /
-
Mikroštruktúra nanokryštalických zliatin typu NANOPERM (Fe1-xCox)76Mo8Cu1B15 v závislosti od pomeru Fe:Co
-
Nanokompozitné tvrdé vrstvy s odolnosťou proti oxidácii pri vysokých teplotách
-
Langmuirove vrstvy chlorofylu a: modelové systémy fotosyntézy
-
Optimalizácia dávkovania kvapalného prekurzora pre prípravu tenkých vrstiev metódou MOCVD
-
Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
-
Thin Film Materials : Stress, Defect Formation and Surface Evolution
-
Tenkovrstvové mikroelektródy pre elektrochemické vodivostné senzory aplikované v biomedicínskom monitorovaní stresu : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005