Návrh optimálneho režimu tuhnutia taveniny pri výrobe kryštálov InP
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Natura: | Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava
STU FCHPT
2006
|
| Accesso online: | Visualizza in OPAC |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Návrh optimálneho režimu tuhnutia taveniny pri výrobe kryštálov InP
- Návrh teplotného režimu chladenia taveniny pri výrobe kryštálov
- Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
- Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP
- Preladiteľné kryštálové oscilátory - VCXO
- Simulovanie rýchleho tuhnutia pri aplikácii lasera /
- Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /